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低壓CMOS壓控振蕩器設計

文檔作者: 徐仁伯        文檔來源: 湖南大學物理與微電子科學
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通過對Lc壓控振蕩器原理的分析,設計了一種新型cHos集成壓控振蕩器。該電路通過利用振蕩器的輸出產生高電壓來控制開關電容陣列的開啟來實現(xiàn)輸出頻率在不同頻段中轉換,從而提高輸出頻率范圍和降低相位噪聲。電路采用TSMCl8rfI藝,用Cadence的SpectreX:具進行仿真。結果表明:在0.6V的電源電壓下,頻率覆蓋了2.07GHz到2.78GHz,可調控范圍約為29%,總功耗約為i.8mW,lMHz頻偏處相位噪聲約為一120dB/Hz,滿足了設計要求.

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