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半導(dǎo)體拋光液用硅溶膠中雜質(zhì)元素含量的測(cè)定 -電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： JC/T 2133-2012
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部
起草單位： 中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所
發(fā)布日期： 2012-12-28
實(shí)施日期： 2013-06-01
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更新日期： 2018年11月22日
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內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜（ICP-AES）法測(cè)定半導(dǎo)體拋光液用硅溶膠中雜質(zhì)元素含量的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）中拋光液用的各種硅溶膠。

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