本文件規定了一種通過測定濺射速率校準材料濺射深度的方法，即在一定濺射條件下測定一種具有單層或多層膜參考物質的濺射速率，用作相同材料膜層的深度校準。當使用俄歇電子能譜(AES)、?X射?線光電子能譜(XPS)和二次離子質譜(SIMS)進行深度分析時，這種方法對于厚度在20 nm~200 nm之間的膜層具有5%~10%的準確度。濺射速率是由參考物質相關界面間的膜層厚度和濺射時間決定。使用已知的濺射速率并結合濺射時間，可以得到被測樣品的膜層厚度。測得的離子濺射速率可用于預測各種其他材料的離子濺射速率，從而可以通過濺射產額和原子密度的表值估算出這些材料的深度尺度和濺射時間。