GB/T 4937的本部分是為了測定半導體器件在中子環境中性能退化的敏感性。本部分適用于集成電路和半導體分立器件。中子輻照主要針對軍事或空間相關的應用，是一種破壞性試驗。
試驗目的如下：
a）〓檢測和測量半導體器件關鍵參數的退化與中子注量的關系；
b）〓確定規定的半導體器件參數在接受規定水平的中子注量輻射之后是否在規定的極限值之內（見第4章）。