本標準規定重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法。
本標準適用于襯底在23℃電阻率小于0.02Ω·cm 和外延層在23℃電阻率大于0.1Ω·cm 且外延層厚度大于2μm 的n型和p型硅外延層厚度的測量;在降低精度情況下,該方法原則上也適用于測試0.5μm~2μm 之間的n型和p型外延層厚度。