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硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法

標 準 號： GB/T 26066-2010
替代情況：
發布單位： 中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局、中國國家標準化管理委員會
起草單位： 洛陽單晶硅有限責任公司
發布日期： 2011-01-10
實施日期： 2011-10-01
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更新日期： 2017年03月11日
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內容摘要

本標準規定了用熱氧化和化學擇優腐蝕技術檢驗拋光片或外延片表面因沾污造成的淺腐蝕坑的檢測方法。
本標準適用于檢測<111>或<100>晶向的p型或n型拋光片或外延片,電阻率大于0.001Ω·cm。

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