本標準適用于非本征單晶半導體材料樣品或相同導電類型重摻襯底上沉積已知電阻率的同質外延層中的少數載流子擴散長度的測量。要求樣品或外延層厚度大于4倍的擴散長度。 本標準修改采用SEMI MF 391-1106《非本征半導體中少數載流子擴散長度的穩態表面光電壓測試方法》。
本標準與SEMI MF 391-1106相比主要有如下變化：
———標準格式按GB/T 1.1要求編排；
———將SEMI MF 391-1106中的部分注轉換為正文；
———將SEMI MF 391-1106中部分內容進行了編排。