本部分規(guī)定了微電子技術(shù)用貴金屬漿料中固體含量的測(cè)試方法。
本部分適用于各種燒結(jié)型和固化型微電子技術(shù)用貴金屬漿料固體含量的測(cè)定。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．１—１９９８《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法　固體含量測(cè)定》。
本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．１—１９９８相比，主要有如下變動(dòng)：
———將原標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)修改為微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法　固體含量測(cè)定；
———?jiǎng)h除了引用文件ＧＢ／Ｔ２４２１—１９８９；
———本部分增加了聚合物低溫固化型漿料的固體含量測(cè)定內(nèi)容；
———對(duì)于聚合物低溫固化漿料，根據(jù)漿料使用溫度的不同來(lái)確定檢測(cè)固體含量的溫度；
———漿料平行取樣由兩份增加為三份；
———?jiǎng)h除了中溫?zé)蓾{料的內(nèi)容，將高溫?zé)蓾{料改為燒結(jié)型漿料；
———試料相互之間測(cè)試值之差不大于平均值的１％測(cè)定結(jié)果有效。