晶向、電阻率0.5Ω·cm~20Ω·cm 規(guī)格的硅單晶拋光片的術語和定義、技術要求、試驗方法、檢測規(guī)則以及標志、包裝、運輸、貯存等。 本標準適用于直徑300mm 直拉單晶磨削片經雙面..." />
本標準規(guī)定了直徑300mm、p型、<100>晶向、電阻率0.5Ω·cm~20Ω·cm 規(guī)格的硅單晶拋光片的術語和定義、技術要求、試驗方法、檢測規(guī)則以及標志、包裝、運輸、貯存等。
本標準適用于直徑300mm 直拉單晶磨削片經雙面拋光制備的硅單晶拋光片,產品主要用于滿足集成電路IC用線寬90nm 技術需求的襯底片。
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