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半導(dǎo)體晶片近邊緣幾何形態(tài)評價 第3部分：扇形區(qū)域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR）

標(biāo) 準(zhǔn) 號： GB/T 43894.3-2026
替代情況：
發(fā)布單位： 國家市場監(jiān)督管理總局 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
起草單位： 山東有研半導(dǎo)體材料有限公司、杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司、金瑞泓微電 子(嘉興)有限公司
發(fā)布日期： 2026-07-02
實(shí)施日期： 2027-02-01
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更新日期： 2026年08月02日
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內(nèi)容摘要

本文件描述了用扇形區(qū)域平整度(ESFQR、ESFQD、ESBIR)評價半導(dǎo)體晶片近邊緣幾何形態(tài)的方法。


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