本文件描述了用直排四探針法測量硅單晶片徑向電阻率變化的方法。
本文件適用于厚度小于探針平均間距、直徑大于15 mm、室溫電阻率在3×10-4 Ω·cm～1.8×104 Ω·cm的p型硅單晶片及室溫電阻率在6×10-3 Ω·cm～1×105 Ω·cm的n型硅單晶片的徑向電阻率變化的測量。硅單晶片其他范圍電阻率的測量參照本文件進行。